我校电子科学与工程学院徐永兵教授应邀在国际工程技术与材料科学领域顶尖学术期刊《Progress in Materials Science》上发表题为 “Hybrid spintronic materials: Growth, structure and properties” 的长篇特邀综述论文[Progress in Materials Science 99 (2019) 27-105。
该论文总结并展望了自旋电子学从第一代GMR（高密度存储）到MRAM（磁存储芯片）到将来SFET（自旋芯片）的发展历程。本文着重结合徐永兵教授团队多年来的研究成果，论述了自旋电子材料及器件的生长、结构性能表征及器件的应用。自旋电子学的发展与应用，预示着未来以调控自旋为基础的新时代将取代调控电荷的时代，未来将引发数据存储与处理技术的革命。例如磁随机存储器MRAM具有存储数据非易失性、寿命长、低功耗、抗辐射等诸多优点，在工业自动化、嵌入式计算、网络和数据存储、汽车和航空航天等重要的民生、国防领域具有巨大的应用价值，原则上可以取代各类存储器的应用，成为未来的通用存储器。同时，该论文也指出了自旋电子学未来的发展方向，特别是可用于信息存储及处理一体化的自旋芯片的新材料及新技术。
Fig. 1. Evolution of electronic technology.
Progress in Materials Science是国际工程技术、材料科学、材料物理和化学领域的顶尖权威综述性学术期刊，在材料科学与工程领域具有重要影响。徐永兵教授为该论文的通讯作者，第一作者为37000cm威尼斯-约克大学自旋电子学国际联合中心刘文卿教授。该工作得到了973国家重大研发计划量子调控项目、国家重大科研仪器研制项目等基金项目的资助。
（电子科学与工程学院 科学技术处）
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